Low temperature carbon co-implantation in silicon: Defects suppression and diffusion modeling - Normandie Université Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2021

Low temperature carbon co-implantation in silicon: Defects suppression and diffusion modeling

P. Dumas
STMicroelectronics [Crolles]
P.-L. Julliard
  • Fonction : Auteur
J. Borrel
S. Duguay
CV
F. Hilario
F. Deprat
  • Fonction : Auteur
V. Lu
  • Fonction : Auteur
W. Zhao
  • Fonction : Auteur
W Zou
  • Fonction : Auteur
E. Arevalo
  • Fonction : Auteur
D. Blavette
  • Fonction : Auteur

Domaines

Physique [physics]

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Soumis le : lundi 6 décembre 2021-18:48:58

Dernière modification le : lundi 6 décembre 2021-18:48:58

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Dates et versions

hal-03468001 , version 1 (06-12-2021)

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Citer

P. Dumas, P.-L. Julliard, J. Borrel, S. Duguay, F. Hilario, et al.. Low temperature carbon co-implantation in silicon: Defects suppression and diffusion modeling. Journal of Applied Physics, 2021, 129 (19), pp.195706. ⟨10.1063/5.0049782⟩. ⟨hal-03468001⟩

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