Characteristics degradation of the SiGe HBT under electromagnetic field stress

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Contributeur : Moncef Kadi <>
Soumis le : lundi 7 octobre 2019 - 10:59:39
Dernière modification le : mercredi 9 octobre 2019 - 01:37:29

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A. Alaeddine, Moncef Kadi, K. Daoud, B. Beydoun. Characteristics degradation of the SiGe HBT under electromagnetic field stress. Microelectronics Reliability, Elsevier, 2010, 50 (12), pp.1961-1966. ⟨10.1016/j.microrel.2010.07.002⟩. ⟨hal-02306946⟩

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