Characteristics degradation of the SiGe HBT under electromagnetic field stress

A. Alaeddine; Moncef Kadi; K. Daoud; B. Beydoun

doi:10.1016/j.microrel.2010.07.002

Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2010

Characteristics degradation of the SiGe HBT under electromagnetic field stress

(1) , (1) , (2) ,

1
2

A. Alaeddine

Fonction : Auteur

Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués

Moncef Kadi

Fonction : Auteur
PersonId : 173747
IdHAL : moncef-kadi
IdRef : 084533242

Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués

CV

K. Daoud

Fonction : Auteur

Groupe de physique des matériaux

B. Beydoun

Fonction : Auteur

Domaines

Physique [physics] Sciences de l'ingénieur [physics]

Moncef KADI : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://normandie-univ.hal.science/hal-02306946

Soumis le : lundi 7 octobre 2019-10:59:39

Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-10:20:12

Dates et versions

hal-02306946 , version 1 (07-10-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02306946 , version 1
DOI : 10.1016/j.microrel.2010.07.002

Citer

A. Alaeddine, Moncef Kadi, K. Daoud, B. Beydoun. Characteristics degradation of the SiGe HBT under electromagnetic field stress. Microelectronics Reliability, 2010, 50 (12), pp.1961-1966. ⟨10.1016/j.microrel.2010.07.002⟩. ⟨hal-02306946⟩

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