Article Dans Une Revue
Diamond and Related Materials
Année : 2014
Etienne Talbot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://normandie-univ.hal.science/hal-02156382
Soumis le : vendredi 14 juin 2019-12:47:12
Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-13:36:03
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02156382 , version 1
- DOI : 10.1016/j.diamond.2014.02.002
Citer
P. Denis, Pascal Dherbécourt, O. Latry, C. Genevois, Fabien Cuvilly, et al.. Robustness of 4H-SiC 1200V Schottky diodes under high electrostatic discharge like human body model stresses : An in-depth failure analysis. Diamond and Related Materials, 2014, 44, pp.62-70. ⟨10.1016/j.diamond.2014.02.002⟩. ⟨hal-02156382⟩
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