Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2022
Eric Joubert : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://normandie-univ.hal.science/hal-03882052
Soumis le : vendredi 2 décembre 2022-11:06:34
Dernière modification le : vendredi 22 décembre 2023-15:16:05
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03882052 , version 1
- DOI : 10.1016/j.microrel.2022.114777
Citer
Chawki Douzi, Moncef Kadi, Moncef Kadi, Pascal Dherbécourt, Mohamed Akram Besserour, et al.. A novel methodology to characterize LGA packaged GaN power transistors using a mother/daughter board configuration for the reliability qualification in the mild hybrid applications. Microelectronics Reliability, 2022, 138, pp.114777. ⟨10.1016/j.microrel.2022.114777⟩. ⟨hal-03882052⟩
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