Optimized sub-40 nm planar patterning process for a La0.7Sr0.3MnO3 magnetic memory - Normandie Université Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Electroanalytical Chemistry Année : 2005

Optimized sub-40 nm planar patterning process for a La0.7Sr0.3MnO3 magnetic memory

Nguyen Hoa Hong
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Awatef Hassini
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V. Kulkarni
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Hoa Hong Nguyen
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E Rauwel Buzin
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A.M. Haghiri-Gosnet
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J.P. Renard
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M. Veis
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V. Kolinsky
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S. Visnovsky
  • Fonction : Auteur
M. Darques
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R. Soulimane
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Dates et versions

hal-03544992 , version 1 (27-01-2022)

Identifiants

Citer

Wilfrid Prellier, Nguyen Hoa Hong, Antoine Ruyter, Joe Sakai, Awatef Hassini, et al.. Optimized sub-40 nm planar patterning process for a La0.7Sr0.3MnO3 magnetic memory. Journal of Electroanalytical Chemistry, 2005, 584 (1), pp.34-37. ⟨10.1016/j.jelechem.2004.02.021⟩. ⟨hal-03544992⟩
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