Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2021
Didier Blavette : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://normandie-univ.hal.science/hal-03468001
Soumis le : lundi 6 décembre 2021-18:48:58
Dernière modification le : lundi 6 décembre 2021-18:48:58
Citer
P. Dumas, P.-L. Julliard, J. Borrel, S. Duguay, F. Hilario, et al.. Low temperature carbon co-implantation in silicon: Defects suppression and diffusion modeling. Journal of Applied Physics, 2021, 129 (19), pp.195706. ⟨10.1063/5.0049782⟩. ⟨hal-03468001⟩
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