Reliability Assessment Of AlGaN/GaN HEMTs on the SiC Substrate Under the RF Stress - Normandie Université Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Power Electronics Année : 2021

Reliability Assessment Of AlGaN/GaN HEMTs on the SiC Substrate Under the RF Stress

Niemat Moultif
Groupe de physique des matériaux
Olivier Latry
Groupe de physique des matériaux
CV
Eric Joubert
Groupe de physique des matériaux
CV
Mohamed Ndiaye
  • Fonction : Auteur
Centre d’Essai en Vibro-Acoustique pour l’Automobile
Christian Moreau
  • Fonction : Auteur
Direction générale de l'armement [Bagneux]
Jean-Francois Goupy
  • Fonction : Auteur
Thales Air Systems
Patrick Carton
  • Fonction : Auteur
Thales Global Services

Domaines

Electronique

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https://normandie-univ.hal.science/hal-03174499

Soumis le : vendredi 19 mars 2021-11:34:21

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-13:36:03

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Dates et versions

hal-03174499 , version 1 (19-03-2021)

Identifiants

Citer

Niemat Moultif, Olivier Latry, Eric Joubert, Mohamed Ndiaye, Christian Moreau, et al.. Reliability Assessment Of AlGaN/GaN HEMTs on the SiC Substrate Under the RF Stress. IEEE Transactions on Power Electronics, 2021, 36 (7), pp.7442-7450. ⟨10.1109/TPEL.2020.3042133⟩. ⟨hal-03174499⟩

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