Physical Study of SiC Power MOSFETs Towards HTRB Stress Based on C-V Characteristics - Normandie Université

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Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Device and Materials Reliability Année : 2020

Physical Study of SiC Power MOSFETs Towards HTRB Stress Based on C-V Characteristics

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Wadia Jouha

Fonction : Auteur
PersonId : 1174960
IdRef : 233353216

Groupe de physique des matériaux

Mohamed Lamine Masmoudi

Fonction : Auteur
PersonId : 175174
IdHAL : mohamed-masmoudi
IdRef : 158684656

Groupe de physique des matériaux

Ahmed El Oualkadi

Fonction : Auteur
PersonId : 952816

Laboratoire des Technologies de l'Information et de la Communication

Eric Joubert

Fonction : Auteur
PersonId : 175065
IdHAL : eric-joubert
ORCID : 0000-0001-6585-4603
IdRef : 083021450

Groupe de physique des matériaux

Pascal Dherbécourt

Fonction : Auteur
PersonId : 175161
IdHAL : pascal-dherbecourt
ORCID : 0000-0001-9110-358X
IdRef : 069275483

Groupe de physique des matériaux

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Physique [physics]

pascal dherbecourt : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://normandie-univ.hal.science/hal-03174373

Soumis le : vendredi 19 mars 2021-10:34:16

Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-10:20:12

Dates et versions

hal-03174373 , version 1 (19-03-2021)

Identifiants

HAL Id : hal-03174373 , version 1
DOI : 10.1109/TDMR.2020.2999029

Citer

Wadia Jouha, Mohamed Lamine Masmoudi, Ahmed El Oualkadi, Eric Joubert, Pascal Dherbécourt. Physical Study of SiC Power MOSFETs Towards HTRB Stress Based on C-V Characteristics. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2020, 20 (3), pp.506-511. ⟨10.1109/TDMR.2020.2999029⟩. ⟨hal-03174373⟩

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