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Conference papers
A New SiC Power MOSFET Model With a Parameter Optimization Procedure
Ali Alhoussein 1
Author
Hadi Alawieh 2
Author
Z. Riah 1, 3
Author IdHAL : zouheir-riah
Yacine Azzouz 1
Author IdHAL : yacine-azzouz
1
Pôle Electronique et Systèmes (IRSEEM - Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
- IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
- UNIROUEN - Université de Rouen Normandie : EA 4353 (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France)
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France)
- ESIGELEC - École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée - BP 10024 - 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
- UNIROUEN - Université de Rouen Normandie : EA 4353 (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France)
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IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
- UNIROUEN - Université de Rouen Normandie : EA 4353 (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France)
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France)
- ESIGELEC - École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée - BP 10024 - 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
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ESIGELEC - École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée - BP 10024 - 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
Document type :
Conference papers
Complete list of metadatas
https://hal-normandie-univ.archives-ouvertes.fr/hal-02419913
Contributor : Zouheir Riah <>
Submitted on : Thursday, December 19, 2019 - 4:18:34 PM
Last modification on : Monday, September 28, 2020 - 4:59:38 PM
Contributor : Zouheir Riah <>
Submitted on : Thursday, December 19, 2019 - 4:18:34 PM
Last modification on : Monday, September 28, 2020 - 4:59:38 PM
Identifiers
- HAL Id : hal-02419913, version 1
- DOI : 10.23919/EPE.2019.8915569
Collections
Citation
Ali Alhoussein, Hadi Alawieh, Z. Riah, Yacine Azzouz. A New SiC Power MOSFET Model With a Parameter Optimization Procedure. 2019 21st European Conference on Power Electronics and Applications (EPE '19 ECCE Europe), Sep 2019, Genova, Italy. pp.P.1-P.11, ⟨10.23919/EPE.2019.8915569⟩. ⟨hal-02419913⟩
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