Etude de la Robustesse et des Mécanismes de défaillance d’un transistor MOSFET en SiC sous contraintes électriques et thermiques

Mbarek Safa; Pascal Dherbécourt; François Fouquet; Olivier Latry

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Etude de la Robustesse et des Mécanismes de défaillance d’un transistor MOSFET en SiC sous contraintes électriques et thermiques

Mbarek Safa ¹ Pascal Dherbécourt ¹ François Fouquet ^{2, 3} Olivier Latry ¹

1 GPM - Groupe de physique des matériaux

2 Pôle Electronique et Systèmes

IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués

3 IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués

Mbarek Safa ¹
Author

Pascal Dherbécourt ¹
Author
PersonId : 175161
IdHAL : pascal-dherbecourtORCID : 0000-0001-9110-358XIdRef : 069275483

François Fouquet ^{2, 3}
Author
PersonId : 177742
Employer institution: IdHAL : francois-fouquetIdRef : 139769846

Olivier Latry ¹
Author
PersonId : 175169
IdHAL : olivierlORCID : 0000-0002-2121-8864IdRef : 151805482

1 GPM - Groupe de physique des matériaux (Avenue de l'Université, BP 08, 76801 Saint-Etienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 970

UNIROUEN - Université de Rouen Normandie (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France) StructId : 300318
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France) StructId : 455934
INSA Rouen Normandie - Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (Avenue de l’Université 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 301288
- INSA - Institut National des Sciences Appliquées (France) StructId : 301232
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France) StructId : 455934
CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR6634 (France) StructId : 441569

2 Pôle Electronique et Systèmes (IRSEEM - Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 569794

IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 101325
- UNIROUEN - Université de Rouen Normandie : EA 4353 (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France) StructId : 300318
  - NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France) StructId : 455934
- ESIGELEC - École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée - BP 10024 - 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 318576

3 IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 101325

UNIROUEN - Université de Rouen Normandie : EA 4353 (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France) StructId : 300318
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France) StructId : 455934
ESIGELEC - École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée - BP 10024 - 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 318576

Document type :

Conference papers

Domain :

Engineering Sciences [physics] / Electronics

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https://hal-normandie-univ.archives-ouvertes.fr/hal-02407378
Contributor : Francois Fouquet Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Thursday, December 12, 2019 - 2:53:18 PM
Last modification on : Thursday, March 10, 2022 - 10:46:02 AM

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HAL Id : hal-02407378, version 1

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Mbarek Safa, Pascal Dherbécourt, François Fouquet, Olivier Latry. Etude de la Robustesse et des Mécanismes de défaillance d’un transistor MOSFET en SiC sous contraintes électriques et thermiques. Télécom & JFMMA, 2015, Meknès, Maroc. ⟨hal-02407378⟩

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