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Conference papers

Etude de la Robustesse et des Mécanismes de défaillance d’un transistor MOSFET en SiC sous contraintes électriques et thermiques

Document type :
Conference papers
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https://hal-normandie-univ.archives-ouvertes.fr/hal-02407378
Contributor : Francois Fouquet Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Thursday, December 12, 2019 - 2:53:18 PM
Last modification on : Thursday, March 10, 2022 - 10:46:02 AM

Identifiers

  • HAL Id : hal-02407378, version 1

Citation

Mbarek Safa, Pascal Dherbécourt, François Fouquet, Olivier Latry. Etude de la Robustesse et des Mécanismes de défaillance d’un transistor MOSFET en SiC sous contraintes électriques et thermiques. Télécom & JFMMA, 2015, Meknès, Maroc. ⟨hal-02407378⟩

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