Etude de la Robustesse et des Mécanismes de défaillance d’un transistor MOSFET en SiC sous contraintes électriques et thermiques - Archive ouverte HAL Access content directly
Conference Papers Year :

Etude de la Robustesse et des Mécanismes de défaillance d’un transistor MOSFET en SiC sous contraintes électriques et thermiques

Domains

Engineering Sciences [physics] Electronics

Francois Fouquet  : Connect in order to contact the contributor

https://hal-normandie-univ.archives-ouvertes.fr/hal-02407378

Submitted on : Thursday, December 12, 2019-2:53:18 PM

Last modification on : Wednesday, February 8, 2023-5:11:10 PM

Not file

Dates and versions

hal-02407378 , version 1 (12-12-2019)

Identifiers

  • HAL Id : hal-02407378 , version 1

Cite

Mbarek Safa, Pascal Dherbécourt, François Fouquet, Olivier Latry. Etude de la Robustesse et des Mécanismes de défaillance d’un transistor MOSFET en SiC sous contraintes électriques et thermiques. Télécom & JFMMA, 2015, Meknès, Maroc. ⟨hal-02407378⟩

Export

BibTeX TEI Dublin Core DC Terms EndNote Datacite

Collections

CEA CNRS INSA-ROUEN COMUE-NORMANDIE GPM IRSEEM UNIROUEN ENSICAEN UNICAEN INSA-GROUPE ESIGELEC
28 View
0 Download

Share

Gmail Facebook Twitter LinkedIn More