Conference Papers
Year :
Francois Fouquet : Connect in order to contact the contributor
https://hal-normandie-univ.archives-ouvertes.fr/hal-02407378
Submitted on : Thursday, December 12, 2019-2:53:18 PM
Last modification on : Wednesday, February 8, 2023-5:11:10 PM
Dates and versions
Identifiers
- HAL Id : hal-02407378 , version 1
Cite
Mbarek Safa, Pascal Dherbécourt, François Fouquet, Olivier Latry. Etude de la Robustesse et des Mécanismes de défaillance d’un transistor MOSFET en SiC sous contraintes électriques et thermiques. Télécom & JFMMA, 2015, Meknès, Maroc. ⟨hal-02407378⟩
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