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Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Etude de la Robustesse et des Mécanismes de défaillance d’un transistor MOSFET en SiC sous contraintes électriques et thermiques

Domaines

Electronique

Francois Fouquet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://normandie-univ.hal.science/hal-02407378

Soumis le : jeudi 12 décembre 2019-14:53:18

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Dates et versions

hal-02407378 , version 1 (12-12-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02407378 , version 1

Citer

Mbarek Safa, Pascal Dherbécourt, François Fouquet, Olivier Latry. Etude de la Robustesse et des Mécanismes de défaillance d’un transistor MOSFET en SiC sous contraintes électriques et thermiques. Télécom & JFMMA, 2015, Meknès, Maroc. ⟨hal-02407378⟩

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