Behavoir study of a 600v gan transistor under short-circuit experimental test - Normandie Université Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Behavoir study of a 600v gan transistor under short-circuit experimental test

Jian Zhi Fu
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués
Francois Fouquet
Pôle Electronique et Systèmes
Moncef Kadi
Pôle Electronique et Systèmes
CV
Pascal Dherbécourt
Groupe de physique des matériaux
CV

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Energie électrique Electronique

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https://normandie-univ.hal.science/hal-02310344

Soumis le : jeudi 10 octobre 2019-09:54:07

Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-10:20:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02310344 , version 1 (10-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02310344 , version 1

Citer

Jian Zhi Fu, Francois Fouquet, Moncef Kadi, Pascal Dherbécourt. Behavoir study of a 600v gan transistor under short-circuit experimental test. TELECOM 2017 et 10ème JFMMA, May 2017, Rabat, Morocco. ⟨hal-02310344⟩

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