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Conference papers
Behavoir study of a 600v gan transistor under short-circuit experimental test
Jian Zhi Fu 1
Author
Francois Fouquet 2
Author IdHAL : francois-fouquet
Moncef Kadi 2
Author IdHAL : moncef-kadi
Pascal Dherbécourt 3
Author IdHAL : pascal-dherbecourt ORCID : https://orcid.org/0000-0001-9110-358X
1
IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
- UNIROUEN - Université de Rouen Normandie : EA 4353 (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France)
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France)
- ESIGELEC - École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée - BP 10024 - 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
2
Pôle Electronique et Systèmes (IRSEEM - Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
- IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
- UNIROUEN - Université de Rouen Normandie : EA 4353 (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France)
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France)
- ESIGELEC - École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée - BP 10024 - 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
- UNIROUEN - Université de Rouen Normandie : EA 4353 (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France)
3
GPM - Groupe de physique des matériaux (Avenue de l'Université, BP 08, 76801 Saint-Etienne-du-Rouvray Cedex - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR6634 (France)
- INSA Rouen Normandie - Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (Avenue de l’Université 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
- INSA - Institut National des Sciences Appliquées (France)
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France)
- UNIROUEN - Université de Rouen Normandie (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France)
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France)
Document type :
Conference papers
Complete list of metadata
https://hal-normandie-univ.archives-ouvertes.fr/hal-02310344
Contributor : Moncef Kadi Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Thursday, October 10, 2019 - 9:54:07 AM
Last modification on : Tuesday, October 19, 2021 - 4:18:11 PM
Contributor : Moncef Kadi Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Thursday, October 10, 2019 - 9:54:07 AM
Last modification on : Tuesday, October 19, 2021 - 4:18:11 PM
Identifiers
- HAL Id : hal-02310344, version 1
Collections
COMUE-NORMANDIE | CNRS | GPM | INSA-ROUEN | ESIGELEC | UNIROUEN | INSA-GROUPE | IRSEEM
Citation
Jian Zhi Fu, Francois Fouquet, Moncef Kadi, Pascal Dherbécourt. Behavoir study of a 600v gan transistor under short-circuit experimental test. TELECOM 2017 et 10ème JFMMA, May 2017, Rabat, Morocco. ⟨hal-02310344⟩
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