Behavoir study of a 600v gan transistor under short-circuit experimental test

Jian Zhi Fu; Francois Fouquet; Moncef Kadi; Pascal Dherbécourt

Home
Submit
Discover
Use
Collections & tools

Conference papers

Behavoir study of a 600v gan transistor under short-circuit experimental test

Jian Zhi Fu ¹ Francois Fouquet ² Moncef Kadi ² Pascal Dherbécourt ³

1 IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués

2 Pôle Electronique et Systèmes

IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués

3 GPM - Groupe de physique des matériaux

Jian Zhi Fu ¹
Author

Francois Fouquet ²
Author
PersonId : 177742
IdHAL : francois-fouquetIdRef : 139769846

Moncef Kadi ²
Author
PersonId : 173747
IdHAL : moncef-kadiIdRef : 084533242

Pascal Dherbécourt ³
Author
PersonId : 175161
IdHAL : pascal-dherbecourtORCID : 0000-0001-9110-358XIdRef : 069275483

1 IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 101325

UNIROUEN - Université de Rouen Normandie : EA 4353 (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France) StructId : 300318
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France) StructId : 455934
ESIGELEC - École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée - BP 10024 - 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 318576

2 Pôle Electronique et Systèmes (IRSEEM - Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 569794

IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 101325
- UNIROUEN - Université de Rouen Normandie : EA 4353 (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France) StructId : 300318
  - NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France) StructId : 455934
- ESIGELEC - École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée - BP 10024 - 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 318576

3 GPM - Groupe de physique des matériaux (Avenue de l'Université, BP 08, 76801 Saint-Etienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 970

UNIROUEN - Université de Rouen Normandie (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France) StructId : 300318
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France) StructId : 455934
INSA Rouen Normandie - Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (Avenue de l’Université 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 301288
- INSA - Institut National des Sciences Appliquées (France) StructId : 301232
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France) StructId : 455934
CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR6634 (France) StructId : 441569

Document type :

Conference papers

Domain :

Engineering Sciences [physics]

Engineering Sciences [physics] / Electric power

Engineering Sciences [physics] / Electronics

Complete list of metadata

https://hal-normandie-univ.archives-ouvertes.fr/hal-02310344
Contributor : Moncef KADI Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Thursday, October 10, 2019 - 9:54:07 AM
Last modification on : Thursday, March 10, 2022 - 10:46:02 AM

Identifiers

HAL Id : hal-02310344, version 1

Collections

Citation

Jian Zhi Fu, Francois Fouquet, Moncef Kadi, Pascal Dherbécourt. Behavoir study of a 600v gan transistor under short-circuit experimental test. TELECOM 2017 et 10ème JFMMA, May 2017, Rabat, Morocco. ⟨hal-02310344⟩

Behavoir study of a 600v gan transistor under short-circuit experimental test

Identifiers

Collections

Citation

Export

Metrics

16

Behavoir study of a 600v gan transistor under short-circuit experimental test

Identifiers

Collections

Citation

Export

Share

Metrics

16