Degradation of Au–Ti contacts of SiGe HBTs during electromagnetic field stress

A. Alaeddine; C. Genevois; Moncef Kadi; Fabien Cuvilly; K. Daoud

doi:10.1088/0268-1242/26/2/025003

Article Dans Une Revue Semiconductor Science and Technology Année : 2011

Degradation of Au–Ti contacts of SiGe HBTs during electromagnetic field stress

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A. Alaeddine

Fonction : Auteur

Groupe de physique des matériaux

C. Genevois

Fonction : Auteur

Groupe de physique des matériaux

Moncef Kadi

Fonction : Auteur
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IdRef : 084533242

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CV

Fabien Cuvilly

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PersonId : 175167
IdHAL : fabien-cuvilly
IdRef : 250409429

Groupe de physique des matériaux

K. Daoud

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Groupe de physique des matériaux

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Soumis le : mardi 8 octobre 2019-13:08:37

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-13:36:03

Dates et versions

hal-02308187 , version 1 (08-10-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02308187 , version 1
DOI : 10.1088/0268-1242/26/2/025003

Citer

A. Alaeddine, C. Genevois, Moncef Kadi, Fabien Cuvilly, K. Daoud. Degradation of Au–Ti contacts of SiGe HBTs during electromagnetic field stress. Semiconductor Science and Technology, 2011, 26 (2), pp.025003. ⟨10.1088/0268-1242/26/2/025003⟩. ⟨hal-02308187⟩

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