Effects of electromagnetic near-field stress on SiGe HBT’s reliability

A. Alaeddine; Moncef Kadi; K. Daoud; B. Mazari

doi:10.1016/j.microrel.2009.07.014

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Effects of electromagnetic near-field stress on SiGe HBT’s reliability

A. Alaeddine Moncef Kadi ¹ K. Daoud ² B. Mazari ¹

1 IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués

2 GPM - Groupe de physique des matériaux

A. Alaeddine
Author

Moncef Kadi ¹
Author
PersonId : 173747
IdHAL : moncef-kadiIdRef : 084533242

K. Daoud ²
Author

B. Mazari ¹
Author

1 IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 101325

UNIROUEN - Université de Rouen Normandie : EA 4353 (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France) StructId : 300318
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France) StructId : 455934
ESIGELEC - École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée - BP 10024 - 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 318576

2 GPM - Groupe de physique des matériaux (Avenue de l'Université, BP 08, 76801 Saint-Etienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 970

UNIROUEN - Université de Rouen Normandie (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France) StructId : 300318
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France) StructId : 455934
INSA Rouen Normandie - Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (Avenue de l’Université 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 301288
- INSA - Institut National des Sciences Appliquées (France) StructId : 301232
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France) StructId : 455934
CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR6634 (France) StructId : 441569

Document type :

Journal articles

Domain :

Physics [physics]

Engineering Sciences [physics]

Complete list of metadata

https://hal-normandie-univ.archives-ouvertes.fr/hal-02306966
Contributor : Moncef KADI Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Monday, October 7, 2019 - 11:07:29 AM
Last modification on : Thursday, March 10, 2022 - 10:46:02 AM

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HAL Id : hal-02306966, version 1
DOI : 10.1016/j.microrel.2009.07.014

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A. Alaeddine, Moncef Kadi, K. Daoud, B. Mazari. Effects of electromagnetic near-field stress on SiGe HBT’s reliability. Microelectronics Reliability, Elsevier, 2009, 49 (9-11), pp.1029-1032. ⟨10.1016/j.microrel.2009.07.014⟩. ⟨hal-02306966⟩

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