Effects of electromagnetic near-field stress on SiGe HBT’s reliability - Normandie Université Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2009

Effects of electromagnetic near-field stress on SiGe HBT’s reliability

A. Alaeddine
  • Fonction : Auteur
Moncef Kadi
Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués
CV
K. Daoud
  • Fonction : Auteur
Groupe de physique des matériaux
B. Mazari
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués

Domaines

Physique [physics] Sciences de l'ingénieur [physics]

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Soumis le : lundi 7 octobre 2019-11:07:29

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Dates et versions

hal-02306966 , version 1 (07-10-2019)

Identifiants

Citer

A. Alaeddine, Moncef Kadi, K. Daoud, B. Mazari. Effects of electromagnetic near-field stress on SiGe HBT’s reliability. Microelectronics Reliability, 2009, 49 (9-11), pp.1029-1032. ⟨10.1016/j.microrel.2009.07.014⟩. ⟨hal-02306966⟩

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