Modeling IC Snapback Characteristics Under Electrostatic Discharge Stress

Abhishek Ramanujan (1, 2) , Moncef Kadi (2) , Jean Trémenbert , Frédéric Lafon (3) , Bélahcène Mazari (4)

1 VALEO
2 IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués
3 IETR - Institut d'Electronique et de Télécommunications de Rennes
4 LINEACT - Laboratoire d'Innovation Numérique pour les Entreprises et les Apprentissages au service de la Compétitivité des Territoires

Domaines: Physique [physics]; Sciences de l'ingénieur [physics]

Abhishek Ramanujan, Moncef Kadi, Jean Trémenbert, Frédéric Lafon, Bélahcène Mazari. Modeling IC Snapback Characteristics Under Electrostatic Discharge Stress. IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, 2009, 51 (4), pp.901-908. ⟨10.1109/TEMC.2009.2029092⟩. ⟨hal-02306961⟩