Modeling IC Snapback Characteristics Under Electrostatic Discharge Stress

Abhishek Ramanujan 1, 2 Moncef Kadi 2 Jean Trémenbert Frédéric Lafon 3 Bélahcène Mazari 4
1 VALEO
2 IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués
3 IETR - Institut d'Electronique et de Télécommunications de Rennes
4 IRISE/CESI
Type de document :
Article dans une revue
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https://hal-normandie-univ.archives-ouvertes.fr/hal-02306961
Contributeur : Moncef Kadi <>
Soumis le : lundi 7 octobre 2019 - 11:05:22
Dernière modification le : lundi 14 octobre 2019 - 17:20:51

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COMUE-NORMANDIE | IETR | UNIV-RENNES1 | CNRS | ESIGELEC | UNIV-RENNES | UNIROUEN | INSA-GROUPE | IRSEEM | UR1-UFR-ISTIC

Citation

Abhishek Ramanujan, Moncef Kadi, Jean Trémenbert, Frédéric Lafon, Bélahcène Mazari. Modeling IC Snapback Characteristics Under Electrostatic Discharge Stress. IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2009, 51 (4), pp.901-908. ⟨10.1109/TEMC.2009.2029092⟩. ⟨hal-02306961⟩

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