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Journal articles
Modeling IC Snapback Characteristics Under Electrostatic Discharge Stress
Abhishek Ramanujan 1, 2
Author
Moncef Kadi 2
Author IdHAL : moncef-kadi
Jean Trémenbert
Author
Frédéric Lafon 3
Author
Bélahcène Mazari 4
Author
1
VALEO (43, Rue Bayen, 75017 Paris - France)
2
IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
- UNIROUEN - Université de Rouen Normandie : EA 4353 (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France)
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France)
- ESIGELEC - École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée - BP 10024 - 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
3
IETR - Institut d'Electronique et de Télécommunications de Rennes (Campus de Beaulieu Bâtiment 11D 35042 Rennes Cedex - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR6164 (France)
- SUPELEC (France)
- INSA Rennes - Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (20, avenue des Buttes de Coësmes - CS 70839 - 35708 Rennes cedex 7 - France)
- UR1 - Université de Rennes 1 (2 rue du Thabor - CS 46510 - 35065 Rennes cedex - France)
- UNIV-RENNES - Université de Rennes (France)
4
IRISE/CESI
(France)
Document type :
Journal articles
Complete list of metadatas
https://hal-normandie-univ.archives-ouvertes.fr/hal-02306961
Contributor : Moncef Kadi <>
Submitted on : Monday, October 7, 2019 - 11:05:22 AM
Last modification on : Monday, October 5, 2020 - 9:44:04 AM
Contributor : Moncef Kadi <>
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Last modification on : Monday, October 5, 2020 - 9:44:04 AM
Identifiers
- HAL Id : hal-02306961, version 1
- DOI : 10.1109/TEMC.2009.2029092
Collections
COMUE-NORMANDIE | IETR | UNIV-RENNES1 | CNRS | ESIGELEC | UNIV-RENNES | UNIROUEN | INSA-GROUPE | IRSEEM | UR1-UFR-ISTIC | INSA-RENNES
Citation
Abhishek Ramanujan, Moncef Kadi, Jean Trémenbert, Frédéric Lafon, Bélahcène Mazari. Modeling IC Snapback Characteristics Under Electrostatic Discharge Stress. IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2009, 51 (4), pp.901-908. ⟨10.1109/TEMC.2009.2029092⟩. ⟨hal-02306961⟩
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