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Journal articles
Study of electromagnetic field stress impact on SiGe heterojunction bipolar transistor performance
Ali Alaeddine 1, 2
Author
Moncef Kadi 2
Author IdHAL : moncef-kadi
Kaouther Daoud 3
Author
Hichame Maanane 4
Author
Philippe Eudeline 5
Author
1
Department of Physics and Electronics (Faculty of Sciences 1 Hadath, Beirut - Lebanon)
- LU - Lebanese University [Beirut] ( P.O. Box 6573/14 Badaro, Museum, Beirut - Lebanon)
2
IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
- UNIROUEN - Université de Rouen Normandie : EA 4353 (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France)
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France)
- ESIGELEC - École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée - BP 10024 - 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
3
GPM - Groupe de physique des matériaux (Avenue de l'Université, BP 08, 76801 Saint-Etienne-du-Rouvray Cedex - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR6634 (France)
- INSA Rouen Normandie - Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (Avenue de l’Université 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
- INSA - Institut National des Sciences Appliquées (France)
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France)
- UNIROUEN - Université de Rouen Normandie (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France)
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France)
Document type :
Journal articles
Complete list of metadata
https://hal-normandie-univ.archives-ouvertes.fr/hal-02306952
Contributor : Moncef Kadi Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Monday, October 7, 2019 - 11:02:11 AM
Last modification on : Tuesday, October 19, 2021 - 4:15:44 PM
Contributor : Moncef Kadi Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Monday, October 7, 2019 - 11:02:11 AM
Last modification on : Tuesday, October 19, 2021 - 4:15:44 PM
Identifiers
- HAL Id : hal-02306952, version 1
- DOI : 10.1017/S1759078709990572
Collections
COMUE-NORMANDIE | CNRS | GPM | INSA-ROUEN | ESIGELEC | UNIROUEN | INSA-GROUPE | IRSEEM
Citation
Ali Alaeddine, Moncef Kadi, Kaouther Daoud, Hichame Maanane, Philippe Eudeline. Study of electromagnetic field stress impact on SiGe heterojunction bipolar transistor performance. International Journal of Microwave and Wireless Technologies, Cambridge University Press/European Microwave Association 2009, 1 (6), pp.475-482. ⟨10.1017/S1759078709990572⟩. ⟨hal-02306952⟩
Metrics
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