Study of electromagnetic field stress impact on SiGe heterojunction bipolar transistor performance - Normandie Université Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue International Journal of Microwave and Wireless Technologies Année : 2009

Study of electromagnetic field stress impact on SiGe heterojunction bipolar transistor performance

Domaines

Physique [physics] Sciences de l'ingénieur [physics]

Moncef KADI  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://normandie-univ.hal.science/hal-02306952

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hal-02306952 , version 1 (07-10-2019)

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Citer

Ali Alaeddine, Moncef Kadi, Kaouther Daoud, Hichame Maanane, Philippe Eudeline. Study of electromagnetic field stress impact on SiGe heterojunction bipolar transistor performance. International Journal of Microwave and Wireless Technologies, 2009, 1 (6), pp.475-482. ⟨10.1017/S1759078709990572⟩. ⟨hal-02306952⟩

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