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Journal articles
Experimental investigation of Zener diode reliability under pulsed Electrical Overstress (EOS)
F. Zhu 1
Author
F. Fouquet 2, 1
Author IdHAL : francois-fouquet
B. Ravelo 1
Author
A. Alaeddine 1
Author
Moncef Kadi 1
Author IdHAL : moncef-kadi
1
IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
- UNIROUEN - Université de Rouen Normandie : EA 4353 (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France)
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France)
- ESIGELEC - École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée - BP 10024 - 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
2
ESIGELEC - École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée - BP 10024 - 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
Document type :
Journal articles
Complete list of metadata
https://hal-normandie-univ.archives-ouvertes.fr/hal-02306929
Contributor : Moncef Kadi <>
Submitted on : Monday, October 7, 2019 - 10:48:32 AM
Last modification on : Wednesday, October 9, 2019 - 1:37:29 AM
Contributor : Moncef Kadi <>
Submitted on : Monday, October 7, 2019 - 10:48:32 AM
Last modification on : Wednesday, October 9, 2019 - 1:37:29 AM
Identifiers
- HAL Id : hal-02306929, version 1
- DOI : 10.1016/j.microrel.2013.07.077
Collections
Citation
F. Zhu, F. Fouquet, B. Ravelo, A. Alaeddine, Moncef Kadi. Experimental investigation of Zener diode reliability under pulsed Electrical Overstress (EOS). Microelectronics Reliability, Elsevier, 2013, 53 (9-11), pp.1288-1292. ⟨10.1016/j.microrel.2013.07.077⟩. ⟨hal-02306929⟩
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