Aging of GaN GIT under repetitive short-circuit tests

J-Z. Fu 1, 2 F. Fouquet 1, 2 Moncef Kadi 2 P. Dherbécourt 3
1 ESIGELEC - École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique
2 IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués
3 GPM - Groupe de physique des matériaux
Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées
https://hal-normandie-univ.archives-ouvertes.fr/hal-02306848
Contributeur : Moncef Kadi <>
Soumis le : lundi 7 octobre 2019 - 10:10:02
Dernière modification le : mercredi 9 octobre 2019 - 01:37:29

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COMUE-NORMANDIE | CNRS | GPM | INSA-ROUEN | ESIGELEC | UNIROUEN | INSA-GROUPE | IRSEEM

Citation

J-Z. Fu, F. Fouquet, Moncef Kadi, P. Dherbécourt. Aging of GaN GIT under repetitive short-circuit tests. 2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia), May 2018, Xi'an, China. pp.189-193, ⟨10.1109/WiPDAAsia.2018.8734539⟩. ⟨hal-02306848⟩

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