Aging of GaN GIT under repetitive short-circuit tests - Normandie Université

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Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Aging of GaN GIT under repetitive short-circuit tests

(1, 2) , (3, 2) , (3) , (4)

1
2
3
4

J-Z. Fu

Fonction : Auteur

École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique

Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués

F. Fouquet

Fonction : Auteur
PersonId : 177742
IdHAL : francois-fouquet
IdRef : 139769846

Pôle Electronique et Systèmes

Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués

Moncef Kadi

Fonction : Auteur
PersonId : 173747
IdHAL : moncef-kadi
IdRef : 084533242

Pôle Electronique et Systèmes

Pascal Dherbécourt

Fonction : Auteur
PersonId : 175161
IdHAL : pascal-dherbecourt
ORCID : 0000-0001-9110-358X
IdRef : 069275483

Groupe de physique des matériaux

Domaines

Physique [physics] Sciences de l'ingénieur [physics]

Moncef KADI : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://normandie-univ.hal.science/hal-02306848

Soumis le : lundi 7 octobre 2019-10:10:02

Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-10:20:12

Dates et versions

hal-02306848 , version 1 (07-10-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02306848 , version 1
DOI : 10.1109/WiPDAAsia.2018.8734539

Citer

J-Z. Fu, F. Fouquet, Moncef Kadi, Pascal Dherbécourt. Aging of GaN GIT under repetitive short-circuit tests. 2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia), May 2018, Xi'an, China. pp.189-193, ⟨10.1109/WiPDAAsia.2018.8734539⟩. ⟨hal-02306848⟩

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