Radiated EMI evolution of power SiC MOSFET in a boost converter after short-circuit aging tests

Shawki Douzi 1 Moncef Kadi 1 Habib Boulzazen 1 Mohamed Tlig 2 Jaleleddine Ben Hadj Slama 2
1 IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués
2 ESSTHS - Ecole Supérieure des Sciences et de Technologie de Hammam Sousse
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Contributeur : Moncef Kadi <>
Soumis le : vendredi 4 octobre 2019 - 11:07:36
Dernière modification le : dimanche 20 octobre 2019 - 01:18:42

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Citation

Shawki Douzi, Moncef Kadi, Habib Boulzazen, Mohamed Tlig, Jaleleddine Ben Hadj Slama. Radiated EMI evolution of power SiC MOSFET in a boost converter after short-circuit aging tests. Microelectronics Reliability, Elsevier, 2019, pp.113398. ⟨10.1016/j.microrel.2019.113398⟩. ⟨hal-02305454⟩

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