 |
Journal articles
Radiated EMI evolution of power SiC MOSFET in a boost converter after short-circuit aging tests
Shawki Douzi 1
Author
Moncef Kadi 2
Author IdHAL : moncef-kadi
Habib Boulzazen 2
Author IdHAL : habib-boulzazen
Mohamed Tlig 3
Author
Jaleleddine Ben Hadj Slama 3
Author
1
IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
- UNIROUEN - Université de Rouen Normandie : EA 4353 (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France)
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France)
- ESIGELEC - École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée - BP 10024 - 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
2
Pôle Electronique et Systèmes (IRSEEM - Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
- IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
- UNIROUEN - Université de Rouen Normandie : EA 4353 (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France)
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France)
- ESIGELEC - École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée - BP 10024 - 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
- UNIROUEN - Université de Rouen Normandie : EA 4353 (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France)
3
ESSTHS - Ecole Supérieure des Sciences et de Technologie de Hammam Sousse (Rue Lamine Abassi 4011 H. Sousse - Tunisia)
Document type :
Journal articles
Complete list of metadata
https://hal-normandie-univ.archives-ouvertes.fr/hal-02305454
Contributor : Moncef Kadi Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Friday, October 4, 2019 - 11:07:36 AM
Last modification on : Thursday, March 10, 2022 - 10:46:02 AM
Contributor : Moncef Kadi Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Friday, October 4, 2019 - 11:07:36 AM
Last modification on : Thursday, March 10, 2022 - 10:46:02 AM
Identifiers
- HAL Id : hal-02305454, version 1
- DOI : 10.1016/j.microrel.2019.113398
Collections
Citation
Shawki Douzi, Moncef Kadi, Habib Boulzazen, Mohamed Tlig, Jaleleddine Ben Hadj Slama. Radiated EMI evolution of power SiC MOSFET in a boost converter after short-circuit aging tests. Microelectronics Reliability, Elsevier, 2019, pp.113398. ⟨10.1016/j.microrel.2019.113398⟩. ⟨hal-02305454⟩
Metrics
Record views
