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Article dans une revue
Robustness of 4H-SiC 1200V Schottky diodes under high electrostatic discharge like human body model stresses : An in-depth failure analysis
P. Denis 1
Auteur
Pascal Dherbécourt 1
Mail :
Auteur IdHAL : pascal-dherbecourt ORCID : https://orcid.org/0000-0001-9110-358X
O. Latry 1
Mail :
Auteur IdHAL : olivierl ResearcherId : http://www.researcherid.com/rid/E-9747-2011 ORCID : https://orcid.org/0000-0002-2121-8864
C. Genevois 1
Auteur
F. Cuvilly 1
Mail :
Auteur IdHAL : fabien-cuvilly
Martin Brault 1
Mail :
Auteur IdHAL : martin-brault
M. Kadi 2
Mail :
Auteur IdHAL : moncef-kadi
1
GPM - Groupe de physique des matériaux (Avenue de l'Université, BP 08, 76801 Saint-Etienne-du-Rouvray Cedex - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR6634 (France)
- INSA Rouen Normandie - Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (Avenue de l’Université 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
- INSA - Institut National des Sciences Appliquées (France)
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France)
- UNIROUEN - Université de Rouen Normandie (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France)
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France)
2
IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
- UNIROUEN - Université de Rouen Normandie : EA 4353 (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France)
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France)
- ESIGELEC - École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée - BP 10024 - 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France)
Domaine :
Liste complète des métadonnées
https://hal-normandie-univ.archives-ouvertes.fr/hal-02156382
Contributeur : Etienne Talbot <>
Soumis le : vendredi 14 juin 2019 - 12:47:12
Dernière modification le : jeudi 9 avril 2020 - 13:46:17
Contributeur : Etienne Talbot <>
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Dernière modification le : jeudi 9 avril 2020 - 13:46:17
Identifiants
- HAL Id : hal-02156382, version 1
- DOI : 10.1016/j.diamond.2014.02.002
Collections
COMUE-NORMANDIE | GPM | UNIROUEN | CNRS | INSA-ROUEN | IRSEEM | INSA-GROUPE | ESIGELEC
Citation
P. Denis, Pascal Dherbécourt, O. Latry, C. Genevois, F. Cuvilly, et al.. Robustness of 4H-SiC 1200V Schottky diodes under high electrostatic discharge like human body model stresses : An in-depth failure analysis. Diamond and Related Materials, Elsevier, 2014, 44, pp.62-70. ⟨10.1016/j.diamond.2014.02.002⟩. ⟨hal-02156382⟩
Métriques
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