Robustness of 4H-SiC 1200V Schottky diodes under high electrostatic discharge like human body model stresses : An in-depth failure analysis

P. Denis; Pascal Dherbécourt; O. Latry; C. Genevois; F. Cuvilly; Martin Brault; M. Kadi

doi:10.1016/j.diamond.2014.02.002

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Robustness of 4H-SiC 1200V Schottky diodes under high electrostatic discharge like human body model stresses : An in-depth failure analysis

P. Denis ¹ Pascal Dherbécourt ¹ O. Latry ¹ C. Genevois ¹ F. Cuvilly ¹ Martin Brault ¹ M. Kadi ²

1 GPM - Groupe de physique des matériaux

2 IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués

P. Denis ¹
Author

Pascal Dherbécourt ¹
Author
PersonId : 175161
IdHAL : pascal-dherbecourtORCID : 0000-0001-9110-358XIdRef : 069275483

O. Latry ¹
Author
PersonId : 175169
IdHAL : olivierlORCID : 0000-0002-2121-8864IdRef : 151805482

C. Genevois ¹
Author

F. Cuvilly ¹
Author
PersonId : 175167
IdHAL : fabien-cuvillyIdRef : 250409429

Martin Brault ¹
Author
PersonId : 175977
IdHAL : martin-brault

M. Kadi ²
Author
PersonId : 173747
IdHAL : moncef-kadiIdRef : 084533242

1 GPM - Groupe de physique des matériaux (Avenue de l'Université, BP 08, 76801 Saint-Etienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 970

UNIROUEN - Université de Rouen Normandie (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France) StructId : 300318
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France) StructId : 455934
INSA Rouen Normandie - Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (Avenue de l’Université 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 301288
- INSA - Institut National des Sciences Appliquées (France) StructId : 301232
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France) StructId : 455934
CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR6634 (France) StructId : 441569

2 IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 101325

UNIROUEN - Université de Rouen Normandie : EA 4353 (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France) StructId : 300318
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France) StructId : 455934
ESIGELEC - École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée - BP 10024 - 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 318576

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Journal articles

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Physics [physics]

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https://hal-normandie-univ.archives-ouvertes.fr/hal-02156382
Contributor : Etienne Talbot Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Friday, June 14, 2019 - 12:47:12 PM
Last modification on : Thursday, March 10, 2022 - 10:46:02 AM

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HAL Id : hal-02156382, version 1
DOI : 10.1016/j.diamond.2014.02.002

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P. Denis, Pascal Dherbécourt, O. Latry, C. Genevois, F. Cuvilly, et al.. Robustness of 4H-SiC 1200V Schottky diodes under high electrostatic discharge like human body model stresses : An in-depth failure analysis. Diamond and Related Materials, Elsevier, 2014, 44, pp.62-70. ⟨10.1016/j.diamond.2014.02.002⟩. ⟨hal-02156382⟩

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