Robustness of 4H-SiC 1200V Schottky diodes under high electrostatic discharge like human body model stresses: An in-depth failure analysis

P. Denis; Pascal Dherbécourt; O. Latry; C. Genevois; F. Cuvilly; Martin Brault; M. Kadi

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Robustness of 4H-SiC 1200V Schottky diodes under high electrostatic discharge like human body model stresses: An in-depth failure analysis

P. Denis ¹ Pascal Dherbécourt O. Latry ¹ C. Genevois ¹ F. Cuvilly ¹ Martin Brault ¹ M. Kadi ²

1 GPM - Groupe de physique des matériaux

2 IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués

P. Denis ¹ AuthorId : 57318
Auteur

Pascal Dherbécourt AuthorId : 1075203

Auteur IdHAL : pascal-dherbecourt ORCID : https://orcid.org/0000-0001-9110-358X

O. Latry ¹ AuthorId : 382691

Auteur IdHAL : olivierl ResearcherId : http://www.researcherid.com/rid/E-9747-2011 ORCID : https://orcid.org/0000-0002-2121-8864

C. Genevois ¹ AuthorId : 173346
Auteur

F. Cuvilly ¹ AuthorId : 1182177

Auteur IdHAL : fabien-cuvilly

Martin Brault ¹ AuthorId : 11511864

Auteur IdHAL : martin-brault

M. Kadi ² AuthorId : 336877

Auteur IdHAL : moncef-kadi

1 GPM - Groupe de physique des matériaux (Avenue de l'Université, BP 08, 76801 Saint-Etienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 970

CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR6634 (France) StructId : 441569
INSA Rouen Normandie - Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (Avenue de l’Université 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 301288
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France) StructId : 455934
- INSA - Institut National des Sciences Appliquées (France) StructId : 301232
UNIROUEN - Université de Rouen Normandie (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France) StructId : 300318
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France) StructId : 455934

2 IRSEEM - Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée BP 10024 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 101325

UNIROUEN - Université de Rouen Normandie : EA 4353 (1, rue Thomas Becket 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex - France) StructId : 300318
- NU - Normandie Université (Esplanade de la Paix - CS 14032 - 14032 Caen Cedex 5 - France) StructId : 455934
ESIGELEC - École Supérieure d’Ingénieurs en Génie Électrique (Technopôle du Madrillet - Avenue Galilée - BP 10024 - 76801 Saint-Étienne-du-Rouvray Cedex - France) StructId : 318576

Type de document :

Article dans une revue

Domaine :

Physique [physics]

Liste complète des métadonnées

https://hal-normandie-univ.archives-ouvertes.fr/hal-02156382
Contributeur : Etienne Talbot <>
Soumis le : vendredi 14 juin 2019 - 12:47:12
Dernière modification le : vendredi 4 octobre 2019 - 10:44:02

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HAL Id : hal-02156382, version 1
DOI : 10.1016/j.diamond.2014.02.002

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P. Denis, Pascal Dherbécourt, O. Latry, C. Genevois, F. Cuvilly, et al.. Robustness of 4H-SiC 1200V Schottky diodes under high electrostatic discharge like human body model stresses: An in-depth failure analysis. Diamond and Related Materials, Elsevier, 2014, 44, pp.62-70. ⟨10.1016/j.diamond.2014.02.002⟩. ⟨hal-02156382⟩

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