Robustness of 4H-SiC 1200V Schottky diodes under high electrostatic discharge like human body model stresses: An in-depth failure analysis

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Contributeur : Etienne Talbot <>
Soumis le : vendredi 14 juin 2019 - 12:47:12
Dernière modification le : vendredi 4 octobre 2019 - 10:44:02

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P. Denis, Pascal Dherbécourt, O. Latry, C. Genevois, F. Cuvilly, et al.. Robustness of 4H-SiC 1200V Schottky diodes under high electrostatic discharge like human body model stresses: An in-depth failure analysis. Diamond and Related Materials, Elsevier, 2014, 44, pp.62-70. ⟨10.1016/j.diamond.2014.02.002⟩. ⟨hal-02156382⟩

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