Lattice and grain-boundary diffusion of As in Ni2Si

Ivan Blum (1) , A. Portavoce (1) , Dominique Mangelinck (1) , Rachid Daineche (1) , K. Hoummada (1) , János L. Lábár (2) , V. Carron (3) , C. Perrin (1)

1 IM2NP - Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
2 MFA - Research Institute for Technical Physics and Materials Science
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines: Matériaux; Micro et nanotechnologies/Microélectronique; Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Ivan Blum, A. Portavoce, Dominique Mangelinck, Rachid Daineche, K. Hoummada, et al.. Lattice and grain-boundary diffusion of As in Ni2Si. Journal of Applied Physics, 2008, 104 (11), pp.114312. ⟨10.1063/1.3035836⟩. ⟨hal-02127829⟩